iShares费城交易所半导体ETF(SOXX) 长线趋势量化研报

✔︎ 向上跳空【竭尽】缺口➕降旗形综合量化分数:  49分 

➢  (Common ⥥ 降⚑旗形) 🔜 竭尽缺口 🔜 中继缺口 🔜 突破缺口 综合量化分数:48.73 【中性】 

➢  2020-02-11形成:向上跳空【竭尽】缺口

➣  竭尽缺口后向上动能不足迹象，可能出现反转趋势

➢  向上跳空【竭尽】缺口大小:极大, 缺口强度133.6%

➣  竭尽缺口形成后，后续k已经超过14根，竭尽缺口形成后, 出现【完全回踩】迹象，短期收盘价回补缺口第一根k线高点

➢  收盘价(2020-02-21: 256.93 )→回踩→第一根k线高点(2020-02-10: 257.02 )

➣  缺口后关键走势出现回踩，且后期竭尽缺口依然在缺口位置徘徊

➢  【已确认突破】降⚑旗形 起点:2017-08-10，突破点:2019-02-06，形态共375交易日

➣  最小【整理】第一目标价格→(2019-11-01: 229.33 )

➢  跳空后首先朝【竭尽反向回撤】方向，之后缺口再次起到影响朝【竭尽目标达成】方向

➣  突破后【竭尽反向回撤率】极低，跳空【竭尽存续影响极大】

➢  突破后【竭尽目标达成率】极高，跳空【竭尽存续影响极小】

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➢  降⚑旗形综合量化分数: 51.71 【中性】 

➣  【已确认突破】降⚑旗形 起点:2017-08-10，突破点:2019-02-06，形态共375交易日

➢  走势型态象一面挂在旗杆顶上的旗帜, 强中继整理形态

➣  阻力位【②④⑥⑧】波动逐渐走低，构成【旗形】上平行线

➢  支撑位【③⑤⑦⑨】波动逐渐走低，构成【旗形】下平行线

➣  旗帜形状是一个向下倾斜的平行四边形, 阻力支撑线基本保持平行

➢  降旗形虽然高点降落速度快，但创新低幅度有限，降旗过程中指标出现【底背离】

➣  最小中继整理涨幅→𝐇: 52.52 (𝐇旗杆的长度:旗杆起点→顶点)

➢  【已达成】最小【整理】第一目标价格→(2019-11-01: 229.33 ), 后续继续【整理】上涨动力微弱，上涨较小

➢  【买1】: 激进型 买点 →(2019-02-06: 176.81 )形成突破降⚑旗形【整理】形态

♞ 当前趋势下阻力位和支撑位的数量相同， 阻力2条， 阻力位(210.50) 临近被突破 ， 其是近期趋势向下跌破刚刚形成 距最后收盘只有+0.51% ， 阻力位(252.62)距收盘距离很远，阻力效应滞后 ， 两个阻力位的 分布十分离散。  支撑线2条， 支撑位(190.62)距收盘距离较远，支撑效应微弱 ， 支撑位(144.62)距收盘距离很远，支撑效应延迟 ，两个支撑位的 分布十分离散。